| 一种高线性度CMOS混频器的设计 |
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| 引用本文： | 吴明明,叶水驰. 一种高线性度CMOS混频器的设计[J]. 半导体技术, 2007, 32(2): 117-120 |
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| 作者姓名： | 吴明明 叶水驰 |
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| 作者单位： | 哈尔滨工业大学,卫星技术研究所,哈尔滨,150080;哈尔滨工业大学,卫星技术研究所,哈尔滨,150080 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 采用线性化技术改进的混频器结构提高了线性度.采用TSMC 0.18 μm RF CMOS模型进行了电路仿真.仿真结果:在电源电压为1.8 V时,输入三阶截断点(IIP3)为10.3 dBm,输入1dB压缩点(P-1dB)为-3.5 dBm,增益为9.2 dB,单边带噪声系数为17 dB.
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| 关 键 词： | 双平衡混频器 互补金属氧化物半导体工艺 射频集成电路 |
| 文章编号： | 1003-353X（2007）02-0117-04 |
| 修稿时间： | 2006-05-12 |
Design of a High-Linearity CMOS Mixer |
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| Wu Ming-ming,YE Shui-chi. Design of a High-Linearity CMOS Mixer[J]. Semiconductor Technology, 2007, 32(2): 117-120 |
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| Authors: | Wu Ming-ming YE Shui-chi |
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| Affiliation: | Research Center of Satellite Technology, Harbin Institute of Technology, Harbin 150080, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | mixer CMOS technology RF IC |
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