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| α-Si3N4晶须的制备与分析 | |
| 作者姓名： | 曹阳 齐龙浩 潘伟 |
| 作者单位： | 清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京,100084 |
| 摘 要： | 采用高频等离子体气相反应法制备的无定型氮化硅超细粉末为原料.通过在1450℃氮气气氛下,2h的热处理,使无定型氮化硅转为α相氮化硅,并生长出α-Si3N4晶须.试验分析证明所得到的α-Si3N4晶须直径为50～200nm,无明显缺陷,其晶须生长方向为〈0110〉. |
| 关 键 词： | 等离子体 气相反应 无定型氮化硅 晶须 α-Si3N4, |
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