等平面隔离结构的存储器件

等平面隔离工艺最适合于要求高集成度和高速度的电路。尽管在高速存储器的设计上可以考虑各种各样的电路技术,然而对于等平面隔离存储器而论,还是采取了ECL 形式。ECL 结构有快速性和复杂逻辑电路的通融性以及较好的速度与功耗乘积,而且片子的面积也比TTL 小,尤其是因为ECL 是不饱和工作方式,不需要掺金或加肖特基二极管箝位,从而外延基极工艺可以得到良好的性能。正因为这些理由,在存储单元、译码器读写电路方面采用ECL 方式。如果采用TTL 的器件时,在同一片上要附加ECL-TTL 输出、输入电平转换器,而采用ECL 电路时,可以把电平转换器改换成ECL 缓冲寄存器。这种设计方法使ECL 与TTL 存储器由同一基本设计得出。图1所示的是ECL 存储器单元和它的外围电路。触发器是由集-基直接耦合的晶体管Q_1与Q_2和负载电阻R_1、R_2所构成的。旁路二极管是为了在选中单元时得到比非选中时通过电阻的维持电流更大的电流。