| 一种适用于ISFET读出的高精度CMOS运放设计 |
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| 引用本文： | 张翀,杨海钢,魏金宝.一种适用于ISFET读出的高精度CMOS运放设计[J].半导体学报,2008,29(4):686-692. |
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| 作者姓名： | 张翀 杨海钢 魏金宝 |
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| 作者单位： | [1]中国科学院电子学研究所,北京100190 [2]中国科学院研究生院,北京100049 [3]北京恒泰技术有限公司,北京100016 |
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| 摘 要： | 介绍了一种适用于ISFET读出的高精度CMOS运放设计.该运放可为ISFET提供恒定电流、电压偏置,从而便于构建读出电路并于微传感器单片集成.通过运用连续时间自调零技术,大大降低了运放的失调电压、1/f,噪声和温漂等低频噪声.该设计基于0.35/μm CMOS工艺,电源电压3.3V,运放的开环增益超过100dB,输入等效失调电压低至11/μV,总功耗仅为1.48mW.应用该运放实现的pH微传感器已通过实验验证.
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| 关 键 词： | 高精度 自调零 运算放大器 ISFET微传感器 high precision auto-zero operational amplifier ISFET microsensor |
| 文章编号： | 0253-4177(2008)04-0686-07 |
| 修稿时间： | 2007年4月20日 |
A High Precision CMOS Opamp Suitable for ISFET Readout |
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| Zhang Chong,Yang Haigang and Wei Jinbao.A High Precision CMOS Opamp Suitable for ISFET Readout[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(4):686-692. |
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| Authors: | Zhang Chong Yang Haigang and Wei Jinbao |
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| Affiliation: | Institute of Electronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100190,China;Graduate University of Chinese Academy of Sciences,Beijing 100049,China;Institute of Electronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100190,China;Institute of Electronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100190,China;Beijing Hengtai Technologies Co.,Ltd,Beijing 100016,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | high precision auto-zero operational amplifier ISFET microsensor |
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