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Solution‐based Fabrication of High‐κ Gate Dielectrics for Next‐Generation Metal‐Oxide Semiconductor Transistors
Authors:Y. Aoki  T. Kunitake
Affiliation:Topochemical Design Laboratory, Frontier Research System, RIKEN, 2–1 Hirosawa, Wako, Saitama 351–0198, Japan
Abstract:
Keywords:Composite materials  Sol–  gel processes  Thin films
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