离子束溅射生长非晶Si薄膜的研究 |
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引用本文: | 邓书康 陈刚 高立刚 陈亮 俞帆 方静华 杨宇. 离子束溅射生长非晶Si薄膜的研究[J]. 功能材料, 2004, 35(Z1): 1116-1118 |
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作者姓名: | 邓书康 陈刚 高立刚 陈亮 俞帆 方静华 杨宇 |
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作者单位: | 邓书康(云南大学,化学与材料工程系,云南,昆明,650091);陈刚(云南大学,化学与材料工程系,云南,昆明,650091);高立刚(云南大学,化学与材料工程系,云南,昆明,650091);陈亮(云南大学,化学与材料工程系,云南,昆明,650091);俞帆(云南大学,化学与材料工程系,云南,昆明,650091);方静华(云南大学,化学与材料工程系,云南,昆明,650091);杨宇(云南大学,化学与材料工程系,云南,昆明,650091) |
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基金项目: | 云南省科技攻关资助项目(2001G06) |
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摘 要: | 用离子束溅射法制备了不同衬底温度的非晶硅(a-Si)薄膜,用双四探针法测量了不同温度下的电阻率,用喇曼散射及原子力显微镜表征了薄膜显微结构.结果发现随着衬底温度的升高,薄膜的电阻率逐渐增大,衬底温度为室温的a-Si薄膜质量较好且从其表面形貌可观察到少量Si晶粒的存在.
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关 键 词: | 离子束溅射 非晶硅 喇曼散射 电阳率 |
文章编号: | 1001-9731(2004)增刊-1116-03 |
修稿时间: | 2004-05-03 |
Study of amorphous Si thin films fabricated by ion-beam sputtering |
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