| 离子束溅射生长非晶Si薄膜的研究 |
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| 引用本文： | 邓书康,陈刚,高立刚,陈亮,俞帆,方静华,杨宇.离子束溅射生长非晶Si薄膜的研究[J].功能材料,2004,35(Z1):1116-1118. |
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| 作者姓名： | 邓书康 陈刚 高立刚 陈亮 俞帆 方静华 杨宇 |
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| 作者单位： | 邓书康（云南大学,化学与材料工程系,云南,昆明,650091）;陈刚（云南大学,化学与材料工程系,云南,昆明,650091）;高立刚（云南大学,化学与材料工程系,云南,昆明,650091）;陈亮（云南大学,化学与材料工程系,云南,昆明,650091）;俞帆（云南大学,化学与材料工程系,云南,昆明,650091）;方静华（云南大学,化学与材料工程系,云南,昆明,650091）;杨宇（云南大学,化学与材料工程系,云南,昆明,650091） |
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| 基金项目： | 云南省科技攻关资助项目(2001G06) |
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| 摘 要： | 用离子束溅射法制备了不同衬底温度的非晶硅(a-Si)薄膜,用双四探针法测量了不同温度下的电阻率,用喇曼散射及原子力显微镜表征了薄膜显微结构.结果发现随着衬底温度的升高,薄膜的电阻率逐渐增大,衬底温度为室温的a-Si薄膜质量较好且从其表面形貌可观察到少量Si晶粒的存在.
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| 关 键 词： | 离子束溅射 非晶硅 喇曼散射 电阳率 |
| 文章编号： | 1001-9731(2004)增刊-1116-03 |
| 修稿时间： | 2004年5月3日 |
Study of amorphous Si thin films fabricated by ion-beam sputtering |
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