非掺杂半绝缘LFCGaAs中深施工主缺陷对注入硅激活率的影响

通过测量ＧａＡｓ金属半导体场效应晶体管的饱和漏－源电流分布研究了深施工主缺陷ＥＬ２对半绝缘（ＳＩ）ＬＥＣＧａＡｓ中注入硅激活率的影响，发现激活率随ＥＬ２浓度的增加而增加，讨论了ＥＬ２影响硅注入激活率的机理。