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基于pH-ISFET片上系统的研究
引用本文:孙红光,韩泾鸿,魏金宝,夏善红. 基于pH-ISFET片上系统的研究[J]. 中国机械工程, 2005, 16(Z1): 176-178
作者姓名:孙红光  韩泾鸿  魏金宝  夏善红
作者单位:中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室,北京,100082
基金项目:国家自然科学基金资助重点项目(90307014)
摘    要:采用标准CMOS工艺实现了基于pH-ISFET微传感器与读出电路的单芯片集成,该芯片包括差分结构ISFET/REFET传感器、金属准参比电极、恒流源和前级读出电路.芯片采用商用0.35μm,4-金属和2-多晶硅标准CMOS工艺流片,整个芯片面积2mm×2.5mm,工作电压3.3V.在标准CMOS工艺代工的基础上,设计并实现了合理的后续工艺流程.微传感系统获得53.65mV/pH的灵敏度和很好的线性度.由此说明,把ISFET微传感阵列与集成电路集成在单个芯片上构建智能型片上系统(SOC)是完全可能的,应用前景良好.

关 键 词:ISFET  REFET  SOC  CMOS
文章编号:1004-132X(2005)S1-0176-03
修稿时间:2005-04-08

A pH-ISFET Based Micro Sensor System on Chip
Sun Hongguang,Han Jinghong,Wei Jinbao,Xia Shanhong. A pH-ISFET Based Micro Sensor System on Chip[J]. China Mechanical Engineering, 2005, 16(Z1): 176-178
Authors:Sun Hongguang  Han Jinghong  Wei Jinbao  Xia Shanhong
Abstract:
Keywords:
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