|
|||||
|
|
| 用两种四探针方法测量硅单晶片边缘电阻率及其结果的比较 | |
| 作者姓名： | 鲁效明 |
| 作者单位： | 中国计量科学研究院,北京,100013 |
| 摘 要： | 本文简述了两种四探针方法测量硅单晶样片边缘电阻率的优缺点，及测量结果的比较，突出了双电测四探针方法的测量优点。 |
| 关 键 词： | 四探针方法 硅单晶片 边缘电阻率 测量方法 半导体材料 |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |
|
||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||
|
|
|
|
| 设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏 |
|
Copyright©北京勤云科技发展有限公司 京ICP备09084417号 |