硒蒸气硒化法制备CIGS薄膜的影响因子(II)预制膜对CIGS薄膜结构和形貌的影响 |
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作者姓名: | 韩东麟 张弓 庄大明 元金石 李春雷 |
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作者单位: | 清华大学机械工程系,北京100384 |
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摘 要: | 采用中频交流磁控溅射方法,在Mo层上沉积了多层和双层CuInGa(CIG)预制膜,采用固态硒化法制备获得了Cu(In1-xGax)曳(CIGS)吸收层薄膜,考察了预制膜对CIGS薄膜结构和形貌的影响。采用SEM和EDS观察和分析了薄膜的表面形貌和成分,采用XRD表征了薄膜的组织结构。结果表明,CIG多层预制膜由Cu11In9、CuIn和In相组成,CIG双层预制膜由Cu11In9、CuIn、In和CuGa相组成。通过硒化CIG双层和多层预制膜,所获得的CIGS薄膜均为黄铜矿相结构,薄膜具有(112)面的择优取向。当硒化时间为17min时,通过硒化CIG双层预制膜所获得的CIGS薄膜出现了上层致密,下层疏松的结构.延长硒化时间为25min.CIGS薄膜蛮得致密。
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关 键 词: | 太阳电池 CIGS 磁控溅射 硒化 预制膜 |
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