| 大直径6H-SiC晶体PVT法生长感应加热系统有限元分析 |
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| 引用本文： | 张群社,陈治明. 大直径6H-SiC晶体PVT法生长感应加热系统有限元分析[J]. 半导体学报, 2007, 28(Z1): 225-229 |
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| 作者姓名： | 张群社 陈治明 |
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| 作者单位： | 张群社（西安理工大学自动化与信息工程学院,西安,710048）;陈治明（西安理工大学自动化与信息工程学院,西安,710048） |
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| 基金项目： | 陕西省重大科技创新基金 , 西安理工大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 采用有限元分析法系统地研究了大尺寸6H-SiC晶体PVT法生长装置中感应加热线圈的不同高度和匝间距对生长腔、粉源以及生长晶体温度场的影响;分析比较了线圈取不同匝间距时晶体生长面径向温度梯度的变化.结果表明,在中频电源的输出功率和频率固定,盲孔内径不变的情况下,通过适当调整线圈匝间距和高度可以减小晶体生长面径向温度梯度,提高晶体的质量,同时又有比较高的生长率.
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| 关 键 词： | PVT法 SiC粉源 温度场 温度梯度 直径 高晶体 生长率 加热系统 有限元分析 System Growth Temperature Distribution Coil Inductive Spaces Heights Different 质量 小晶体 不同高度 调整 情况 内径 盲孔 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)S0-0225-05 |
| 修稿时间： | 2006-11-30 |
Effects of Different Heights and Spaces of a Multi-Turn Inductive Coil on Temperature Distribution in the Large-Size 6H-SiC Growth System |
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| Zhang Qunshe,Chen Zhiming. Effects of Different Heights and Spaces of a Multi-Turn Inductive Coil on Temperature Distribution in the Large-Size 6H-SiC Growth System[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(Z1): 225-229 |
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| Authors: | Zhang Qunshe Chen Zhiming |
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