面向3G基站的基于专用晶体管（带综合偏置）的非对称Doherty技术

文中介绍了一组专用LDMOS晶体管。该产品用于非对称Doherty拓扑，在这个拓扑中，载流子（主）晶体管包括一个集成的AB类偏置，而峰化（从）晶体管则包括一个集成的C类偏置。两种晶体管采用相同封装，但输出功率有1dB的差异，以提高Doherty的整体效率，并构建56dBm（400W）峰值功率放大器。文中还介绍了支持CW和3G信号的整体Doherty放大器的设计和测量，并显示了该解决方案相对于使用经典“AB类优化”晶体管的常规对称Doherty放大器的优势。