| AlGaN紫外光电导探测器的研究 |
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| 引用本文： | 王峰祥 郝跃. AlGaN紫外光电导探测器的研究[J]. 现代电子技术, 2004, 27(6): 1-2,5 |
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| 作者姓名： | 王峰祥 郝跃 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所，西安电子科技大学微电子研究所 陕西 西安 710071，陕西 西安 710071 |
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| 基金项目： | 国防预研基金(41308060106) |
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| 摘 要： | 在蓝宝石(0001)村底上采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法生长了未掺杂的Al0.15Ga0.85N外延层，并以此为材料制作了光电导探洲器，实验发现探测器具有显著的紫外光响应。分析了探测器持续光电导效应(PPC)的产生机理。
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| 关 键 词： | AlGaN 光电导探测器 紫外光 PPC |
Study of AlGaN Ultraviolet Photoconductive Detector |
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| WANG Fengxiang,HAO Yue. Study of AlGaN Ultraviolet Photoconductive Detector[J]. Modern Electronic Technique, 2004, 27(6): 1-2,5 |
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| Authors: | WANG Fengxiang HAO Yue |
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| Abstract: | Photoconductive detectors have been fabricated on undoped Al0.15Ga0.85N epilayer grown on sapphire (0001) substrate by metal organic chemical vapor deposition. It was found the detectors have notable UV photoresponse. The mechnism of photoconductor in AlGaN detectors was discussed. |
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| Keywords: | AlGaN photoconductive detector ultraviolet PPC |
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