新型TFT-LCD黑矩阵的细线化研究 |
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引用本文: | 靳福江,卢兵,朱凤稚,罗峰,柳星,代伟男,刘华,范峻. 新型TFT-LCD黑矩阵的细线化研究[J]. 液晶与显示, 2014, 29(4): 521 |
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作者姓名: | 靳福江 卢兵 朱凤稚 罗峰 柳星 代伟男 刘华 范峻 |
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作者单位: | 靳福江:成都京东方光电科技有限公司, 四川 成都 611731 卢兵:成都京东方光电科技有限公司, 四川 成都 611731 朱凤稚:成都京东方光电科技有限公司, 四川 成都 611731 罗峰:成都京东方光电科技有限公司, 四川 成都 611731 柳星:成都京东方光电科技有限公司, 四川 成都 611731 代伟男:成都京东方光电科技有限公司, 四川 成都 611731 刘华:成都京东方光电科技有限公司, 四川 成都 611731 范峻:成都京东方光电科技有限公司, 四川 成都 611731
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摘 要: | 介绍了新型TFT-LCD黑矩阵细线化研究。在原有工艺设备的基础上,突破设备局限和工艺瓶颈,通过引入相掩膜技术和背面曝光设备,达到进一步减小黑矩阵线宽的效果。实验测试结果显示:在普通掩膜板设计上应用相位移掩膜板技术,降低透光区边缘衍射和散射现象,使曝光后黑矩阵线宽降低1.0~1.5μm。在原有工艺基础上添加背面曝光工艺,使黑矩阵材料在显影后进行背面曝光预固化,改善黑矩阵图形形貌,进一步减小黑矩阵线宽达到0.3~0.5μm。通过新工艺和新设备的引入和应用,黑矩阵线宽整体降低1.5~2.0μm,达到5.0~5.5μm,可以满足目前高PPI(单位面积像素个数)产品对透过率和对比度要求。
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关 键 词: | 黑矩阵 线宽 相位移掩膜板 背面曝光 |
收稿时间: | 2013-09-29 |
Narrow black matrix for TFT-LCD |
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Abstract: | |
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Keywords: | black matrix critical dimension phase shift mask back exposure |
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