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| 在镜像投影曝光机上使用相移掩膜提高解像力的初步研究 | |
| 引用本文： | 黎午升,惠官宝,崔承镇,史大为,郭建,孙双,薛建设.在镜像投影曝光机上使用相移掩膜提高解像力的初步研究[J].液晶与显示,2014,29(4):544. |
| 作者姓名： | 黎午升 惠官宝 崔承镇 史大为 郭建 孙双 薛建设 |
| 作者单位： | 黎午升:京东方科技集团 TFT-LCD技术研发中心, 北京 100176 惠官宝:京东方科技集团 TFT-LCD技术研发中心, 北京 100176 崔承镇:京东方科技集团 TFT-LCD技术研发中心, 北京 100176 史大为:北京京东方光电科技有限公司, 北京 100176 郭建:北京京东方光电科技有限公司, 北京 100176 孙双:京东方科技集团 TFT-LCD技术研发中心, 北京 100176 薛建设:京东方科技集团 TFT-LCD技术研发中心, 北京 100176 |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)项目(No. 2014AA032701) |
| 摘 要： | 实现高PPI(单位面积像素个数),需要更细的线宽和更窄的间距,这往往受到光刻设备解像力的限制,本文对基于不改造镜像投影曝光设备而提高光刻解像力进行研究。用半导体工艺模拟以及器件模拟软件模拟分析了离焦量为0时,相位移掩膜和传统掩膜下2.5μm等间隔线的光强分布。根据设备参数模拟分析离焦量为15、30μm时通过掩膜得到的光刻间距情况,最后,实际比较测量了相同条件下各自曝光剂量范围和切面坡度角。实验结果表明:相位移掩膜能使镜像投影曝光机分辨力以下间距(线宽)的工艺容限增大1倍,并使相应曝光量下间距(线宽)的分布更集中,从而增加细线化的稳定性。使用相位移掩膜能提高镜像投影曝光机的解像力。 |
| 关 键 词： | 相移掩膜 等间隔线 模拟 曝光容限 解像力 |
| 收稿时间： | 2013/8/6 |
Preliminary study on improving resolution on mirror projection mask aligner with phase shift mask |
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| Abstract: | |
| Keywords: | phase shift mask equidistant lines simulation exposure margin resolution |
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