首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

浸泡后多孔硅的结构及光致发光特性
引用本文:严勇健,吴雪梅,诸葛兰剑. 浸泡后多孔硅的结构及光致发光特性[J]. 材料研究学报, 2004, 18(5): 537-541
作者姓名:严勇健  吴雪梅  诸葛兰剑
作者单位:1. 苏州大学
2. 苏州大学;上海微系统与信息技术研究所离子束开放实验室
基金项目:国家自然科学基金 , 江苏省高校自然科学基金
摘    要:用电化学腐蚀方法制备了多孔硅样品,在浸泡液中浸泡使其表层多孔层与样品分离,在样品表面形成了丰富的SiO2包裹纳米硅颗粒结构,研究了样品的光致发光(PL)特性.结果表明,与剥离前相比,表层多孔层剥离后PL谱的强度约有10倍的增幅,峰位主要在蓝紫光范围内.在300℃干氧中退火后,样品的发光强度下降为退火前的三分之一,随着退火温度的升高,发光强度有所增强.退火前后有不同的发光机理,退火前光激发主要在纳米硅内,然后在二氧化硅层中的发光中心辐射复合;退火后光激发和光辐射都发生在二氧化硅层中.

关 键 词:无机非金属材料  多孔层  光致发光  纳米硅颗粒  发光中心
文章编号:1005-3093(2004)05-0537-05
收稿时间:2004-11-05
修稿时间:2003-11-03

Framework and photoluminescence property of porous silicon after dipped in solution
YAN Yongjian WU Xuemei. Framework and photoluminescence property of porous silicon after dipped in solution[J]. Chinese Journal of Materials Research, 2004, 18(5): 537-541
Authors:YAN Yongjian WU Xuemei
Affiliation:YAN Yongjian~1 WU Xuemei~
Abstract:
Keywords:inorganic non-metallic materials   porous film   photoluminescence   Si nanocrystallites   luminescence centers
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
点击此处可从《材料研究学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《材料研究学报》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号