| 压阻加速度计的Au-Si共晶键合 |
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| 引用本文： | 王翔,张大成,李婷,王玮,阮勇,李修函,王小保,杜先锋. 压阻加速度计的Au-Si共晶键合[J]. 半导体学报, 2003, 24(3): 332-336 |
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| 作者姓名： | 王翔 张大成 李婷 王玮 阮勇 李修函 王小保 杜先锋 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所,北京,100871;北京大学微电子学研究所,北京,100871;北京大学微电子学研究所,北京,100871;北京大学微电子学研究所,北京,100871;北京大学微电子学研究所,北京,100871;北京大学微电子学研究所,北京,100871;北京大学微电子学研究所,北京,100871;北京大学微电子学研究所,北京,100871 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划资助项目 (合同号 :G19990 3310 8)~~ |
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| 摘 要： | 通过将压阻加速度计上帽与结构片的键合 ( 36 5℃保温 10min) ,再进行下帽与结构片的键合 ( 380± 10℃保温2 0min) ,成功进行了三层键合 .测得的键合强度约为 2 30MPa.硅片 基体 /SiO2 /Cr/Au层和硅片之间键合时 ,SiO2 溶解而形成CrSi2 硅化物 .共晶反应因Cr层而被推迟 ,键合温度高出共晶温度 2 0℃左右 ,从而避免了由于Au元素向硅中扩入而造成的污染 ,进而避免可能造成的对集成微电子器件性能的影响 .试验还证明硅基体 SiO2 /Cr/Au/Poly Si/Au键合层结构设计模型也遵循这一键合过程中的原子扩散理论.
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| 关 键 词： | 金 硅 共晶键合 压阻式加速度计 |
| 文章编号： | 0253-4177(2003)03-0332-05 |
| 修稿时间： | 2002-04-15 |
Gold-Silicon Wafer Eutectic Bonding in Piezoresistive Accelerometer Assembling |
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| Wang Xiang,Zhang Dacheng,Li Ting,Wang Wei,Ruan Yong,Li Xiuhan,Wang Xiaobao and Du Xianfeng. Gold-Silicon Wafer Eutectic Bonding in Piezoresistive Accelerometer Assembling[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2003, 24(3): 332-336 |
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| Authors: | Wang Xiang Zhang Dacheng Li Ting Wang Wei Ruan Yong Li Xiuhan Wang Xiaobao Du Xianfeng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | gold silicon eutectic bonding piezoresistive accelerometer |
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