半导体所制成高温连续激射2μm波段锑化物量子阱激光器

据www.cas.cn网站报道,近日,中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室与超晶格国家重点实验室分子束外延(MBE)课题组合作,采用分子束外延技术生长制成InGaSb/AlGaAsSb应变量子阱激光器,实现了高工作温度(T=80℃)下连续激射(激射波长为2μm,出光功率为63.7 mW),达到了国内领先水平。中红外2～3.5μm波段激光器在气体检测、环境监测、激光制导、红外对抗和激光雷达等诸多领域有着十分广泛而又重要的应用。与其它中红外波段传统半导体材料体系相比,窄带隙InGaAsSb锑化物材料与衬底晶格匹配,其禁带宽度可以覆盖1.7～4.4μm波段。锑化物光电器件的独特优势日益受到广泛重视,已经成为目前的国际前沿和热点研