首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

超高频双差分对管DQ401
引用本文:程国益.超高频双差分对管DQ401[J].半导体技术,1989(5):62-63.
作者姓名:程国益
作者单位:淮阴工专
摘    要:1.DQ401主要参数指标I_(CEO)≤0.1μA(V_(CE)=10V);BV_(CEO)≥20V(I_(CE)=1mA);BV_(CBO)≥25V(I_(CB)=10μA);BV_(EBO)≥5V(I_(EB)=10μA);β≥40(V_(CE)=6V,I_C=10mA,f_O=200MHz);(β_1-β_2)/β_2≤5%,V_(BE1)-V_(BE2)≤2mV(V_(CE)=6V,I_C=10mA);f_T≥1000MHz(V_(CE)=6V,I_C=10mA、f_O=200MHz);I_(CM)≥20mA(单管最大工作电流);P_(CM)≥100mW(单管功耗).

关 键 词:超高频  晶体管  结构  参数
本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号