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| 集成电路芯片的工艺诱生缺陷 | |
| 引用本文： | 邹子英,闵靖. 集成电路芯片的工艺诱生缺陷[J]. 微电子学, 2003, 33(1): 46-48 |
| 作者姓名： | 邹子英 闵靖 |
| 作者单位： | 上海市计量测试技术研究院,上海,200233 |
| 摘 要： | 调研了三条100—150mm集成电路生产线上IC芯片的工艺诱生缺陷。研究表明，这些IC生产线上存在三种影响IC成品率的主要诱生缺陷，离子注入诱生弗兰克不全位错，薄膜应力和杂质收缩应力引起的位错和隔离扩散区的位错。前二种缺陷存在于MOS电路，后一种存在于双极型电路。弗兰克不全位错起因于离子注入损伤诱生的氧化诱生层错(OISF)，薄膜应力和杂质收缩压力引起的位错和隔离扩散区的位错都与薄膜应力和高浓度替位杂质的收缩应力有关。同时，提出了减少这几类缺陷密度的工艺途径。 |
| 关 键 词： | 集成电路 芯片 工艺诱生缺陷 乳化诱生层错 弗兰克不全位错 晶格缺陷 |
| 文章编号： | 1004-3365(2003)01-0046-03 |
| 修稿时间： | 2002-01-27 |
Process Induced Defects on Processing Chips |
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| Abstract: | |
| Keywords: | Integrated circuit Processing chip Process induced defect Oxidation induced stack fault (OISF) Frank partial dislocation |
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