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分类号
杂志ISSN号
肖特基二极管伏安特性与导通压降相关性研究
作者姓名:
董小兵 王西英
作者单位:
[1]西安交通大学 [2]卫光爱尔电子有限公司
摘 要:
根据金属与半导体之间肖特基势垒接触的电流-电压关系设计出了一套简易的实验装置,了40CPQ045肖特基在势垒二极管芯片小电流下的正向电流-电压特性。通过外推40A大电流下芯片结压降的数值,验证了通过小电流正向电流-电压特性曲线来外推预测大电流下芯片结压降值的可行性。
关 键 词:
肖特基二极管 伏安特性 导通压降
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