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硅基氧化铱薄膜的脉冲激光沉积及其微观结构研究
引用本文:公衍生,王传彬,沈强,张联盟.硅基氧化铱薄膜的脉冲激光沉积及其微观结构研究[J].真空科学与技术学报,2006,26(5):425-428.
作者姓名:公衍生  王传彬  沈强  张联盟
作者单位:1. 武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070;中国地质大学(武汉)材化学院,武汉,430074
2. 武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070
基金项目:湖北省国际科技合作重点计划项目;教育部长江学者和创新团队发展计划
摘    要:采用脉冲激光沉积技术,在Si(100)基片上制备了高致密的氧化铱(IrO2)薄膜,研究了不同沉积温度对薄膜结构的影响。利用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对制备的IrO2薄膜进行了表征。结果表明:在20Pa氧分压,250℃~500℃范围内,得到的薄膜为多晶的IrO2物相,其晶粒尺寸和粗糙度随着沉积温度的升高而增加;所得到的IrO2薄膜表面粗糙度低,厚度均匀,与基片结合良好。

关 键 词:IrO2薄膜  基片温度  微观结构  脉冲激光沉积技术
文章编号:1672-7126(2006)05-425-04
收稿时间:2005-12-27
修稿时间:2005年12月27

Microstructures of IrO2 Films Deposited by Pulsed Laser Deposition
Gong Yansheng,Wang Chuanbin,Shen Qiang,Zhang Lianmeng.Microstructures of IrO2 Films Deposited by Pulsed Laser Deposition[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2006,26(5):425-428.
Authors:Gong Yansheng  Wang Chuanbin  Shen Qiang  Zhang Lianmeng
Affiliation:1. State key laboratory of advanced technology for material synthesis and processing, Wuhan University of Technology, Wuhan, 430070, China ; 2. School of materials science and chemical engineering china university of geosciences , Wuhan , 430074, China
Abstract:
Keywords:IrO_2 films  Substrate temperature  Microstructure  Pulsed laser deposition(PLD)
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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