| 掺铈硅酸镥(Lu2SiO5:Ce)晶体的生长与闪烁性能 |
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| 引用本文： | 任国浩,王绍华,李焕英,陆晟.掺铈硅酸镥(Lu2SiO5:Ce)晶体的生长与闪烁性能[J].无机材料学报,2003,18(2):269-274. |
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| 作者姓名： | 任国浩 王绍华 李焕英 陆晟 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海硅酸盐研究所中试基地，中国科学院上海硅酸盐研究所中试基地，中国科学院上海硅酸盐研究所中试基地，中国科学院上海硅酸盐研究所中试基地 上海 201800，上海 201800，上海 201800，上海 201800 |
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| 基金项目： | 上海市科技发展基金(011461062) |
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| 摘 要： | 用Czochralsky方法和铱坩埚感应加热技术生长出了尺寸为φ35mm×40mm的掺铈硅酸镥(LSO:Ce)闪烁晶体.透射光谱表明,由于铈离子的掺入,使晶体的吸收边由纯LSO晶体的195nm红移至380nm.LSO:Ce晶体的紫外激发波长按强度递减的顺序依次为380、333、319和216nm,其光发射为带状谱,波长覆盖范围从390nm至560nm.X射线激发的发射谱具有典型的双峰特征,峰值波长为393nm和.426nm.这些特征与Ce3+离子基态能级4f1因自旋-轨道耦合而产生的两个分裂能级和Ce+离子在LSO晶体中占据两个不同的结晶学格位有关.
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| 关 键 词： | 硅酸镥 光透射 激发 发射 |
| 文章编号： | 1000-324X(2003)02-0269-06 |
| 收稿时间： | 2002-4-26 |
| 修稿时间： | 2002年4月26日 |
Growth and Scintillation Properties of Cerium-doped Lutetium Oxyorthosilicate(Lu2SiO5:Ce) Crystals |
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| REN Guo-Hao,WANG Shao-Hua,LI Huan-Ying,LU Sheng.Growth and Scintillation Properties of Cerium-doped Lutetium Oxyorthosilicate(Lu2SiO5:Ce) Crystals[J].Journal of Inorganic Materials,2003,18(2):269-274. |
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| Authors: | REN Guo-Hao WANG Shao-Hua LI Huan-Ying LU Sheng |
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| Affiliation: | R&DCenter;ShanghaiInstituteofCeramics;ChineseAcademyofSciences;Shanghai201800;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | lutetium orthosilicate crystal growth emission excitation |
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