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气相渗硅工艺制备KD-1 SiCf/SiC 复合材料及其性能研究
引用本文:王洪磊,周新贵,于海蛟,赵爽,罗征. 气相渗硅工艺制备KD-1 SiCf/SiC 复合材料及其性能研究[J]. 材料工程, 2010, 0(11)
作者姓名:王洪磊  周新贵  于海蛟  赵爽  罗征
作者单位:国防科技大学,新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室,长沙,410073;国防科技大学,新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室,长沙,410073;国防科技大学,新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室,长沙,410073;国防科技大学,新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室,长沙,410073;国防科技大学,新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室,长沙,410073
基金项目:新世纪优秀人才支持计划
摘    要:以国产KD-1型SiC纤维为增强体,采用化学气相沉积和酚醛树脂浸渍裂解获得两种碳源的多孔SiCf/C,通过气相渗硅工艺制备了KD-1 SiCf/SiC复合材料,对复合材料的微观结构和力学性能进行了研究.结果表明:不同碳源的多孔SiCf/C,经过气相渗硅得到SiCf/SiC复合材料的断裂韧性相差较大,分别为12.9,2.0MPa·m1/2.而对于酚醛树脂浸渍裂解制备的高孔隙率SiCf/C中间体,经过气相渗硅得到SiCf/SiC复合材料的密度及力学性能明显高于由低孔隙率SiCf/C得到的SiCf/SiC复合材料.

关 键 词:SiCf/SiC  气相渗硅  化学气相沉积

Study on the Properties of SiCf/SiC Composites Fabricated by Vapor Silicon Infiltration
WANG Hong-lei,ZHOU Xin-gui,YU Hai-jiao,ZHAO Shuang,LUO Zheng. Study on the Properties of SiCf/SiC Composites Fabricated by Vapor Silicon Infiltration[J]. Journal of Materials Engineering, 2010, 0(11)
Authors:WANG Hong-lei  ZHOU Xin-gui  YU Hai-jiao  ZHAO Shuang  LUO Zheng
Abstract:
Keywords:
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