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| p-InGaAs/n-InGaAs MSM光电探测器研究 | |
| 作者姓名： | 史常忻 A.Mesquida Kusters A.Kohl R.Muller K.Heime |
| 作者单位： | 上海交通大学微电子技术所，德国亚琛工业大学半导体电子学所，德国亚琛工业大学半导体电子学所，德国亚琛工业大学半导体电子学所，德国亚琛工业大学半导体电子学所 上海 200030 |
| 摘 要： | 本文首次对具有p-InGaAs肖特基势垒增强层的p-InGaAs/n-InGaAs MSM光电探测器做了较系统研究。实验结果表明:具有20nm厚增强层器件的暗电流为3.5×10(-11)A(5伏,30×40μm~2);而具有40nm厚增强层器件的FWHMM为350ps(6伏)。 |
| 关 键 词： | 光电探测器 p－InGaAs 肖特基势垒 |
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