| SiGe CMOS结构模拟分析 |
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| 引用本文： | 王伟,姜涛,黄大鹏,胡辉勇,戴显英,张鹤鸣.SiGe CMOS结构模拟分析[J].电子科技,2004(4):42-46. |
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| 作者姓名： | 王伟 姜涛 黄大鹏 胡辉勇 戴显英 张鹤鸣 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子所,陕西,西安,710071;西安电子科技大学微电子所,陕西,西安,710071;西安电子科技大学微电子所,陕西,西安,710071;西安电子科技大学微电子所,陕西,西安,710071;西安电子科技大学微电子所,陕西,西安,710071;西安电子科技大学微电子所,陕西,西安,710071 |
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| 摘 要： | 提出一种新的SiGe CMOS结构,用Medici软件对该结构进行二维模拟,分析应变SiGe层、弛豫SiGe层中Ge组份,δ层掺杂浓度以及Si"帽"层厚度等结构参数对SiGe CMOS电学性能的影响.最后,给出该结构组成的反相器传输特性模拟结果.
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| 关 键 词： | SiGe CM0S 二维模拟 反相器 |
| 修稿时间： | 2004年3月8日 |
A Simulation Analysis of the SiGe CMOS Structure |
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| Wang Wei Jiang Tao Huang Dapeng,Hu Huiyong Dai Xianying Zhang Heming.A Simulation Analysis of the SiGe CMOS Structure[J].Electronic Science and Technology,2004(4):42-46. |
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| Authors: | Wang Wei Jiang Tao Huang Dapeng Hu Huiyong Dai Xianying Zhang Heming |
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| Abstract: | This paper begins with an introduction to a novel SiGe CMOS structure and its two dimensional simulation through MEDICI, followed by an analysis of the effects of the Ge contents in the strained and relaxed SiGe layers, the profile in the dlayer and the thickness of Si cap layer on the electric performance of the SiGe CMOS structure and concludes with a presentation of the voltage transfer characteristic of a SiGe CMOS inverter. |
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| Keywords: | SiGe CMOS two-dimensional simulation inverter |
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