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一个0.9V低电压双端输出第二代电流传输器的设计
引用本文:张小云,王卫东.一个0.9V低电压双端输出第二代电流传输器的设计[J].电子器件,2012,35(3):348-351.
作者姓名:张小云  王卫东
作者单位:桂林电子科技大学信息与通信学院,广西桂林,541004
基金项目:广西科学研究与技术开发计划项目
摘    要:介绍一个0.9 V低电压双端输出第二代电流传输器(DOCCⅡ)的设计。输入级采用衬底驱动MOSFET有效地避免了阈值电压的限制;同时采用了局部正反馈技术提高了带宽增益,因此DOCCII获得了更好的电压跟随特性。该设计电路在标准0.18μm CMOS工艺下,采用Cadence Spectre和BSIM3v3模型对其进行了调试和仿真。仿真结果显示该DOCCII具有4.8MHz的带宽,同时具有比较高的线性度和很好的输入输出电阻。

关 键 词:衬底驱动  0.9V  DOCCⅡ

A 0.9V Low voltage DOCCII
ZHANG Xiaoyun , WANG Weidong.A 0.9V Low voltage DOCCII[J].Journal of Electron Devices,2012,35(3):348-351.
Authors:ZHANG Xiaoyun  WANG Weidong
Affiliation:(School of Information and Communication,Guilin University of Electronic Technology,Guilin Guangxi 541004,China)
Abstract:A 0.9 V low voltage dual output CCII(DOCCⅡ)is presented.Bulk driven MOSFET at input avoids the limitation of threshold voltage efficiently,and a partial positive feedback is used to increase gain-bandwidth,so the Voltage follower gets high performance.Designed circuit is simulated in a standard 0.18 μm CMOS process,using Cadence Spectre and BSIM3v3 models.The result of simulation indicates this DOCCⅡ has bandwidth of 4.8 MHz and high linearity and good input and output resistance.
Keywords:bulk driven  0  9 V  DOCCⅡ
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