| 具有超高耐压(>1200V)的薄埋氧层BPL SOI LDMOS(英文) |
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| 引用本文： | 张海鹏,许生根.具有超高耐压(>1200V)的薄埋氧层BPL SOI LDMOS(英文)[J].电子器件,2012,35(2):119-124. |
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| 作者姓名： | 张海鹏 许生根 |
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| 作者单位： | 杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室,杭州,310018 |
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| 基金项目： | Innovative Scientific Research Project for Graduate Student of Zhejiang Province(YK2010059);Project supported by the Science and Technology development plan of Zhejiang Province(2006AA09Z228) |
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| 摘 要： | 为了在薄埋氧层SOI衬底上实现超高耐压LDMOS铺平道路,提出了一种具有P埋层(BPL)的薄埋氧层SOI LDMOS 结构,耐压1200V以上.该BPL SOI LDMOS在传统SOI LDMOS的埋氧层和N型漂移区之间引入了一个P型埋层.当器件正向截止时,N型漂移区与P埋层之间的反偏PN结将承担器件的绝大部分纵向压降.采用2维数值仿真工具Silvaco TCAD对BPL SOI LDMOS进行虚拟制造和器件仿真,结果表明该结构采用适当的参数既能实现1 280 V的耐压,将BOL减薄到几百纳米以下又可以改善其热特性.
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| 关 键 词： | 功率LDMOS P埋层SOI 工艺与器件仿真 超高耐压 热性能 |
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