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| 6H-SiC JFET 输出特性及其中子辐照模型 | |
| 引用本文： | 尚也淳,张义门,张玉明.6H-SiC JFET 输出特性及其中子辐照模型[J].核电子学与探测技术,2000,20(6):424-429. |
| 作者姓名： | 尚也淳 张义门 张玉明 |
| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学研究所,西安 |
| 摘 要： | 基于沟道调效应、串联电阻效应的考虑，首先建立了一个和实验室符合很好的６Ｈ－ＳｉＣＪＦＥＴ的模型，在该模型中采用了两种电离杂质模型和Ｃａｕｇｈｅｙ－Ｔｈｏｍａｓ方程，接着在分析中子辐照对ＳｉＣ ＪＦＥＴ电参数如电子浓度、迁移率、电阻率和空间电荷区密度影响的基础上，对ＳｉＣ ＪＦＥＴ在室温和３００℃时的辐照响应进行了模拟。模拟结果和实验相符。 |
| 关 键 词： | SiC JFET 输出特性 辐照响应 中子辐照模型 |
The electrical characteristics and neutron irradiation response model of 6H-SiC JFET |
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| Keywords: | SiC JFET neutron irradiation electrical characteristics radia tionresponse |
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