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CdS薄膜的结构特性及其对Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池的影响
引用本文:薛玉明,孙云,何青,刘芳芳,李长键,汲明亮.CdS薄膜的结构特性及其对Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池的影响[J].半导体学报,2005,26(2).
作者姓名:薛玉明  孙云  何青  刘芳芳  李长键  汲明亮
摘    要:报道了CdS薄膜的CBD法沉积及其结构特性,其中的水浴溶液包括硫脲、乙酸镉、乙酸铵和氨水溶液.研究了水浴溶液的pH值、温度、各反应物溶液的浓度和滴定硫脲与倾倒硫脲等基本工艺参数对CdS薄膜结构特性的影响.其中,溶液的pH值对CdS薄膜的特性起着关键的作用.XRD图显示了随着溶液pH值的变化,薄膜的晶相由六方相向立方相转变.CdS薄膜的这两种晶相对CIGS薄膜太阳电池性能的影响不相同.c-CdS(立方相的CdS)与CIGS之间的晶格失配和界面态密度分别为1.419%和8.507×1012cm-2,而h-CdS(六方相的CdS)与CIGS之间的晶格失配和界面态密度则分别为32.297%和2.792×1012cm-2.高效CIGS薄膜太阳电池需要的是立方相CdS薄膜.

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Structural Characteristic of CdS Thin Films and Their Influences on Cu(In,Ga)Se2(CIGS) Thin Film Solar Cells
Xue Yuming,Sun Yun,He Qing,Liu Fangfang,Li Changjian,Ji Mingliang.Structural Characteristic of CdS Thin Films and Their Influences on Cu(In,Ga)Se2(CIGS) Thin Film Solar Cells[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(2).
Authors:Xue Yuming  Sun Yun  He Qing  Liu Fangfang  Li Changjian  Ji Mingliang
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Keywords:
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