导电粒子/聚硅氧烷悬浮体系的流变特性与粒子相结构演变行为

采用导电-流变行为同步监测的方法,对比研究炭黑(CB)、石墨烯(r GO)填充聚硅氧烷(PDMS)悬浮体系粒子相结构对应变剪切作用的响应规律。r GO/PDMS、CB/PDMS体系的模量与电性能随粒子含量增加呈现典型的逾渗行为;r GO质量分数约为1.5%时,导电网络结构基本形成,所需用量远低于CB填充体系(质量分数3.5%)。导电-流变同步监测结果表明,r GO粒子网络结构对振荡剪切作用非常敏感,γ0.3%时,导电通路即开始发生破坏,且这种被破坏的r GO导电网络结构在随后的递减应变扫描和100℃-5000 s热处理过程中很难回复。而受振荡剪切破坏的CB网络结构可瞬间回复。