| 基于正交试验的单晶硅靶材制备氮化硅薄膜沉积参数的优化 |
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| 引用本文： | 马辰卉,武文革,伏宁娜,王昕宇,成云平,刘丽娟. 基于正交试验的单晶硅靶材制备氮化硅薄膜沉积参数的优化[J]. 工具技术, 2018, 0(4): 31-35 |
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| 作者姓名： | 马辰卉 武文革 伏宁娜 王昕宇 成云平 刘丽娟 |
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| 作者单位： | 中北大学 |
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| 摘 要： | 基于单晶硅靶材制备氮化硅薄膜的沉积参数正交试验,通过选择和研究溅射功率、工作压强、气体流量比和基底温度这四个因素,得到这四个因素对薄膜沉积速率和薄膜表面粗糙度的影响规律;利用从正交试验中得到的一系列观测值分别建立关于薄膜沉积速率和薄膜表面粗糙度与四个沉积参数之间相互影响变化的两个经验模型公式;为得到较好的沉积效果,对所得到的经验公式进行分析,得到最佳沉积参数。
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| 关 键 词： | 氮化硅薄膜 沉积参数 正交试验 参数优化 |
Study on Optimization of Deposition Parameters of Silicon Nitride Thin Films Prepared by Monocrystalline Silicon Target Based on Orthogonal Test |
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