| Sol-Gel法制备ZnO:Al透明导电薄膜 |
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| 引用本文： | 吕敏峰,崔作林,张志焜.Sol-Gel法制备ZnO:Al透明导电薄膜[J].材料科学与工程学报,2003,21(2):224-227. |
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| 作者姓名： | 吕敏峰 崔作林 张志焜 |
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| 作者单位： | 青岛化工学院纳米材料研究所,山东,青岛,266042 |
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| 摘 要： | 采用Sol-Gel工艺在普通载玻片上制备出C轴择优取向性、高可见光透过率以及高电导率的Al3+离子掺杂的ZnO透明导电薄膜.利用SEM、XRD等分析手段对薄膜进行了表征.研究结果表明:所制备的薄膜为纤锌矿型结构,表面平整、致密.通过标准四探针法及UVS透射光谱详细研究了Al3+离子掺杂的ZnO薄膜的电学与光学性能.实验发现,当Al3+离子掺杂浓度为0.8%时,前处理温度为400℃,退火温度为550℃,真空退火温度为550℃时,薄膜具有较好的导电性,电阻率为3.03× 10-3Ω@cm,其在可见光区的透过率超过80%.
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| 关 键 词： | Sol－Gel法 制备 透明导电薄膜 氧化锌 溶胶－凝胶法 铝离子掺杂 性能 |
| 文章编号： | 1004-793X(2003)02-0224-04 |
| 修稿时间： | 2002年9月8日 |
Aluminum-doped ZnO Transparent Conducting Thin Films by the Sol-Gel Method |
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| LU Min-feng,CUI Zuo-lin,ZHANG Zhi-kun.Aluminum-doped ZnO Transparent Conducting Thin Films by the Sol-Gel Method[J].Journal of Materials Science and Engineering,2003,21(2):224-227. |
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| Authors: | LU Min-feng CUI Zuo-lin ZHANG Zhi-kun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Sol-Gel ZnO Al 3+-doped transparent-conducting films |
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