| 硅尖阵列场致发射微二极管的制备及特性研究 |
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| 引用本文： | 王保平 黄仲平. 硅尖阵列场致发射微二极管的制备及特性研究[J]. 电子器件, 1994, 17(3): 55-60 |
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| 作者姓名： | 王保平 黄仲平 |
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| 作者单位： | 东南大学电子工程系 |
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| 摘 要： | 本文采用各向异性腐蚀和干－湿－干氧化锐化工艺，在ｎ型，（１００）晶向、电阻率为３～５Ωｃｍ、３英寸硅片上均匀制备了三种结构硅尖阵列场致发射二极管。锥尖密度达１５０００个／ｍｍ￣２，硅尖曲率半径小于３０ｎｍ；在３５Ｖ收集极电压下，单尖发出电流达０．１４μＡ，其Ⅰ—Ⅴ曲线与Ｆ—Ｎ公式类似。
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| 关 键 词： | 各向异性腐蚀 场致发射 二极管 氧化锐化 |
Fabrication and Characteristics of Micro Diodes of Silicon Field-Emission Arrays |
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| Wang Bao Ping,Tong Linsu,Zhao Qin. Fabrication and Characteristics of Micro Diodes of Silicon Field-Emission Arrays[J]. Journal of Electron Devices, 1994, 17(3): 55-60 |
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| Authors: | Wang Bao Ping Tong Linsu Zhao Qin |
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| Affiliation: | Wang Bao Ping;Tong Linsu;Zhao Qin(Southeast University)Huang Zhongping;Cai Yong (Nan jing Electronic Devices Institute) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Anistropic etching field -emission diode oxidation sharpening |
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