| p型氮化镓不同掺杂方法研究 |
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| 引用本文： | 邢艳辉,韩军,邓军,刘建平,牛南辉,李彤,沈光地.p型氮化镓不同掺杂方法研究[J].功能材料,2007,38(7):1123-1124,1131. |
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| 作者姓名： | 邢艳辉 韩军 邓军 刘建平 牛南辉 李彤 沈光地 |
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| 作者单位： | 北京工业大学,电子信息与控制工程学院,北京,100022 |
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| 基金项目： | 北京市自然科学基金
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国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术,对p型GaN:Mg的均匀掺杂,delta掺杂和生长停顿掺杂3种不同掺杂方法的外延片研究,通过对电学的、光学的、表面形貌分析表明,生长停顿方法的外延片有较好的晶体质量,但因生长停顿过程中引入额外杂质增加自补偿效应;delta掺杂方法明显提高了空穴浓度,降低了电阻率,提高空穴迁移率,取得较好的表面形貌.
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| 关 键 词： | p-氮化镓 δ掺杂 原子力显微镜 金属有机物化学气相淀积 |
| 文章编号： | 1001-9731（2007）07-1123-02 |
| 修稿时间： | 2006-10-252007-05-14 |
Investigation of different doping methods to the p-type GaN |
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| XING Yan-hui,HAN Jun,DENG Jun,LIU Jian-ping,NIU Nan-hui,LI Tong,SHEN Guang-di.Investigation of different doping methods to the p-type GaN[J].Journal of Functional Materials,2007,38(7):1123-1124,1131. |
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| Authors: | XING Yan-hui HAN Jun DENG Jun LIU Jian-ping NIU Nan-hui LI Tong SHEN Guang-di |
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| Affiliation: | College of Electronic Information and Control Engineering,Beijing University of Technology,Beijing 100022,China |
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