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| 多晶硅薄膜(CVD)的生长规律及膜的基本物理性质研究 | |
| 引用本文： | 韩桂林,王玉玲,刘连元,王岚.多晶硅薄膜(CVD)的生长规律及膜的基本物理性质研究[J].太阳能学报,1982(2). |
| 作者姓名： | 韩桂林 王玉玲 刘连元 王岚 |
| 作者单位： | 中国科学院长春应用化学研究所 (韩桂林，王玉玲，刘连元)，中国科学院长春应用化学研究所(王岚) |
| 摘 要： | 据文献1-7]报道,多晶硅薄膜的结晶粒度、晶界分布及载流子复合截面的大小直接与膜的生长工艺条件有关,它是影响光伏器件的质量和效率的重要因素。为了增大结晶粒度,降低晶界损失,提高光生载流子的收集效率,以满足制备高效率、低成本的光伏器件的需要,我们在用CVD法研制多晶硅薄膜过程中,较系统地研究了各种工艺参数对多晶硅薄膜的晶 |
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