|
|||||
|
|
| GaP(111)面氧的热脱附 | |
| 作者姓名： | 朱立 张训生 李海洋 徐亚伯 |
| 作者单位： | 浙江大学物理系(朱立，张训生，李海洋)，浙江大学物理系(徐亚伯) |
| 摘 要： | 一、引言GaP是与GaAs相类似的Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物。它在集成电路,发光器件,阴极等方面有着广泛的应用。对GaAs表面吸附已有了大量的研究。而对GaP表面的研究较少。本文报导用热脱附方法对GaP(111)面氧的吸附性质进行的研究。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
|
||||||||||||||||
|
||||||||||||||||
|
||||||||||||||||
|
|
|
|
| 设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏 |
|
Copyright©北京勤云科技发展有限公司 京ICP备09084417号 |