| 碳化硅电热元件制备工艺的优化 |
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| 引用本文： | 张效华,李晓池.碳化硅电热元件制备工艺的优化[J].工业加热,2007,36(6):60-64. |
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| 作者姓名： | 张效华 李晓池 |
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| 作者单位： | 西安交通大学,电子材料研究所,陕西,西安,710049;西安科技大学,材料科学与工程系,陕西,西安,710054;西安科技大学,材料科学与工程系,陕西,西安,710054 |
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| 基金项目： | 陕西省工业攻关项目(2004K07d16) |
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| 摘 要： | 碳化硅由于它优异的热、机械及电阻率性能而被广泛用于加热元件。通过对SiC电热元件制备工艺的研究和制品性能的测试,找出最佳的素烧温度和最佳素烧填充料,并对比了单热源烧成和多热源烧成的温度场的特点,找出了烧成的最佳温度区域。测试实验产品的导电性能、抗压强度,使用X-射线粉末衍射仪对制品的物相进行分析,使用电子扫描显微镜对制品表面形貌、孔道结构与分布、晶体结构进行分析,确定影响碳化硅电热元件电性能的因素。
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| 关 键 词： | 碳化硅电热元件 制备 结晶性能 电阻率 素烧 |
| 文章编号： | 1002-1639（2007）06-0060-05 |
| 收稿时间： | 2007-08-28 |
| 修稿时间： | 2007-08-30 |
The Optimized Preparation Process of Silicon Carbide Heating Element |
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| ZHANG Xiao-hua,LI Xiao-chi.The Optimized Preparation Process of Silicon Carbide Heating Element[J].Industrial Heating,2007,36(6):60-64. |
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| Authors: | ZHANG Xiao-hua LI Xiao-chi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Silicon Carbide electro-heating Element preparation Crystal property Electrical Resistivity Biscuit firing |
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