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RFID中嵌入式EEPROM的超低功耗设计
引用本文:张帆,邹雪城,刘冬生,邓敏.RFID中嵌入式EEPROM的超低功耗设计[J].微电子学与计算机,2007,24(7):169-172.
作者姓名:张帆  邹雪城  刘冬生  邓敏
作者单位:1. 华中科技大学,电子系,湖北,武汉,430074
2. 华中科技大学,图像所,湖北,武汉,430074
摘    要:基于SMIC 0.35μm嵌入式EEPROM工艺实现了一款256byte的超低功耗EEPROMIP核。典型情况下.读电流为40μA,页编程电流为250μA,特别适合RFID(Radio Frequency Identiffcation)标签芯片的应用。针对芯片中各种功耗的来源进行了详细的分析,并给出了相应的实现方法。

关 键 词:RFID标签芯片  灵敏放大器  电荷泵  低功耗
文章编号:1000-7180(2007)07-0169-04
修稿时间:2006-08-20

Low-Power Design of Embedded EEPROM Memory for RFID Tag IC
ZHANG Fan,ZOU Xue-cheng,LIU Dong-sheng,DENG Min.Low-Power Design of Embedded EEPROM Memory for RFID Tag IC[J].Microelectronics & Computer,2007,24(7):169-172.
Authors:ZHANG Fan  ZOU Xue-cheng  LIU Dong-sheng  DENG Min
Affiliation:1 Department of Electronics, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China; 2 Institute of Image, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China
Abstract:
Keywords:EEPROM
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