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| GaAs/AlAs超晶格室温下的输运机制及自维持场畴振荡 | |
| 引用本文： | 武建青,江德生,孙宝权.GaAs/AlAs超晶格室温下的输运机制及自维持场畴振荡[J].半导体学报,1998,19(10):788-792. |
| 作者姓名： | 武建青 江德生 孙宝权 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 在ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ（１０ｎｍ／２ｎｍ）弱耦合掺杂超晶格Ｉ－Ｖ曲线的第一个平台上，我们首先观测到了直流偏压下的室温微波振荡．观测到的最高振荡频率可达１４２ＭＨｚ．这种由级联隧穿引起的振荡在测试温度范围１４～３００Ｋ内始终存在．经分析发现：由于垒层仅有２ｎｍ，电子隧穿通过垒层的几率很高，相比之下，电子越过势垒而产生的热离子发射电流要小得多．在温度低于３００Ｋ时，超晶格内的纵向输运机制是级联共振隧穿和声子辅助隧穿．这是室温仍然能观测到自维持振荡的主要原因．由于实现振荡所施加的偏压比较低（在室温下偏压范围大约为 |
| 关 键 词： | 砷化镓 砷化铝 超晶格 场畴振荡 |
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