基于0.8μm BCD工艺的20W×2集成D类音频功放设计 |
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作者姓名: | 刘帘曦 朱樟明 杨银堂 过伟 史斌 |
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作者单位: | 西安电子科技大学微电子学院,西安 710071;宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071;西安电子科技大学微电子学院,西安 710071;宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071;西安电子科技大学微电子学院,西安 710071;宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071;西安电子科技大学微电子学院,西安 710071;西安电子科技大学微电子学院,西安 710071 |
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基金项目: | 国家自然科学基金 , 高等学校博士学科点专项科研项目 , 国家自然科学基金 |
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摘 要: | 基于0.8μm BCD工艺完成了一种具有高转换效率的20W×2立体声集成音频功率放大器.该放大器可在18V电源电压下以全桥输出的方式向8Ω负载提供超过20W的功率,其转换效率可达85%以上.介绍了功率输出级、过流保护电路以及高性能轨-轨比较器的设计,并基于横向双扩散MOSFET器件结构讨论了功率输出器件寄生效应对输出电压波形失真的影响.最后给出了所设计的D类音频功率放大器的测试结果.
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关 键 词: | D类功率放大器 全桥 过流保护 轨-轨比较器 |
文章编号: | 0253-4177(2008)05-0988-05 |
收稿时间: | 2007-08-03 |
修稿时间: | 2007-08-03 |
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