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基于0.8μm BCD工艺的20W×2集成D类音频功放设计
作者姓名:刘帘曦  朱樟明  杨银堂  过伟  史斌
作者单位:西安电子科技大学微电子学院,西安 710071;宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071;西安电子科技大学微电子学院,西安 710071;宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071;西安电子科技大学微电子学院,西安 710071;宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071;西安电子科技大学微电子学院,西安 710071;西安电子科技大学微电子学院,西安 710071
基金项目:国家自然科学基金 , 高等学校博士学科点专项科研项目 , 国家自然科学基金
摘    要:基于0.8μm BCD工艺完成了一种具有高转换效率的20W×2立体声集成音频功率放大器.该放大器可在18V电源电压下以全桥输出的方式向8Ω负载提供超过20W的功率,其转换效率可达85%以上.介绍了功率输出级、过流保护电路以及高性能轨-轨比较器的设计,并基于横向双扩散MOSFET器件结构讨论了功率输出器件寄生效应对输出电压波形失真的影响.最后给出了所设计的D类音频功率放大器的测试结果.

关 键 词:D类功率放大器  全桥  过流保护  轨-轨比较器
文章编号:0253-4177(2008)05-0988-05
收稿时间:2007-08-03
修稿时间:2007-08-03
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