| 半导体纳米线的掺杂与显微结构研究 |
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| 引用本文： | 俞大鹏. 半导体纳米线的掺杂与显微结构研究[J]. 电子显微学报, 2005, 24(4): 281 |
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| 作者姓名： | 俞大鹏 |
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| 作者单位： | 北京大学物理学院电子显微镜实验室,北京,100871 |
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| 摘 要： | 掺杂是非常重要的半导体技术,通过掺杂可以根本改变半导体的性质,实现功能器件,是现代微电子技术的基础。半导体纳米线研究引起了越来越多科学家的兴趣,因为纳米线不仅是低维物理关注的热点,也是构建纳米器件及更复杂系统的基元。我们通过在ZnO纳米线中进行Mn掺杂,获得了铁磁ZnMnO纳米线。另外,通过氨气氛中热处理,可以使Ga2O3纳米线转变成为GaN纳米线。在上述工作图1喇曼分析表面,通过氨气氛退火,可以使Ga2O3纳米线转变成为GaN纳米线。的启发下,利用类二步掺杂、转变方法,获得了高Mn含量的GaMnN纳米线,其居里温度高于室温。利用XR…
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Doping induced effects and microstructure analysis of semiconductor nanowires |
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| YU Da-Peng. Doping induced effects and microstructure analysis of semiconductor nanowires[J]. Journal of Chinese Electron Microscopy Society, 2005, 24(4): 281 |
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| Authors: | YU Da-Peng |
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