| SiC探测器的中子和γ性能测试 |
| |
| 引用本文： | 施海宁,应红,张涛,唐堂,宋金霖,龚频,汤晓斌.SiC探测器的中子和γ性能测试[J].核技术,2024(3):67-72. |
| |
| 作者姓名： | 施海宁 应红 张涛 唐堂 宋金霖 龚频 汤晓斌 |
| |
| 作者单位： | 1. 中国广核集团有限公司苏州热工研究院有限公司;2. 国家核电厂安全及可靠性工程技术研究中心;3. 南京航空航天大学核科学与技术系 |
| |
| 摘 要： | 第三代SiC半导体探测器具有体积小、响应时间快、中子/伽马(n/γ)甄别容易等优点，广泛应用于反应堆堆芯剂量监测。本文针对自研的第三代Si C半导体探测器，采用电子束蒸发真空镀膜的技术将中子转换层材料6LiF(6Li丰度为95%)喷镀到SiC基底上，厚度为25μm，实现了中子转换层厚度优化。利用241Am α放射源(活度9.37×103 Bq)开展α粒子响应信号幅度的测量，并在137Cs γ放射源(活度6.23×107 Bq)环境下开展γ射线的响应测试。另外，在标准辐射场系统中进行了SiC探测器的中子注量率响应线性度测量、γ剂量率响应线性度测量以及中子注量率响应线性标定。结果表明：该探测器在1×103～1×106 cm-2·s-1中子注量率范围内线性响应拟合R2=0.996 9，具有良好的线性响应，n/γ剂量响应范围为0.005～20 Gy·h-1，可用于核电现场反应堆中子和γ剂量的实时、精...
|
| 关 键 词： | 碳化硅探测器 中子注量率 γ剂量 线性响应 |
|
|
