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| GaAsSb/GaAs量子阱激光器结构的发光研究 | |
| 引用本文： | 江德生,王江波,C.Navarro,梁晓甘,陈志标,俞水清,S.Chaparro,S.Johnson,曹勇,张永航. GaAsSb/GaAs量子阱激光器结构的发光研究[J]. 红外与毫米波学报, 2002, 21(Z1): 7-10 |
| 作者姓名： | 江德生 王江波 C.Navarro 梁晓甘 陈志标 俞水清 S.Chaparro S.Johnson 曹勇 张永航 |
| 作者单位： | 1. Electrical Engineering Dept., Arizona State University, Tempe AZ85287, USA;中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,北京,100083 2. Electrical Engineering Dept., Arizona State University, Tempe AZ85287,USA 3. 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,北京,100083 |
| 基金项目： | 美国科学基金会(批准号0070125)部分资助项目 |
| 摘 要： | 研究了GaAsSb/GaAs应变量子阱及应变补偿量子阱激光器结构的光致发光和电注入发光.结果表明,分子束外延生长温度的改变使量子阱发光性能发生系统性变化,证明生长温度对量子阱中锑的组分和界面质量具有重要影响. 同时,低温光致发光峰的波长随激发功率密度增大发生明显蓝移,具有Ⅱ类量子阱的特点. 应变补偿量子阱激光器在波长为1.3μm附近激射,阈值电流密度约为1.8kA/cm2. |
| 关 键 词： | GaAsSb 量子阱 激光 光致发光. |
| 修稿时间： | 2001-06-12 |
LUMINESCENCE PROPERTIES OF GaAsSb/GaAs QUANTUM WELL LASER STRUCTURES |
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| C.Navarro,S.Chaparro,S.Johnson. LUMINESCENCE PROPERTIES OF GaAsSb/GaAs QUANTUM WELL LASER STRUCTURES[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2002, 21(Z1): 7-10 | |
| Authors: | C.Navarro S.Chaparro S.Johnson |
| Abstract: | |
| Keywords: | GaAsSb quantum well laser photolunlinescence. |
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