| Ga2O3氮化法合成GaN薄膜的研究 |
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| 引用本文： | 殷立雄,王芬,杨茂举,黄艳. Ga2O3氮化法合成GaN薄膜的研究[J]. 陕西科技大学学报, 2006, 24(2): 50-53 |
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| 作者姓名： | 殷立雄 王芬 杨茂举 黄艳 |
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| 作者单位： | 陕西科技大学材料科学与工程学院,陕西咸阳712081 |
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| 摘 要： | 采用Ga2O3与NH3在管式电炉中于高温常压下进行反应，并在硅基片上沉积GaN薄膜，研究了各种工艺参数如反应温度、NH3的流量、硅基片反应前后处理等因素对沉积GaN薄膜的影响，并通过SEM和AFM对生成物进行了分析。实验结果表明，在1125℃，NH3流量为26-30L／h时可在Si基片〈111〉面上沉积生成GaN薄膜。
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| 关 键 词： | GaN薄膜 氨气 管式炉 |
| 文章编号： | 1000-5811（2006）02-0050-04 |
| 收稿时间： | 2006-01-05 |
| 修稿时间： | 2006-01-05 |
SYNTHESIS OF GaN FILM BY NITRIDING PROCESSING OF Ga2O3 |
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| YIN Li-xiong,WANG Fen,YANG Mao-ju,HUANG Yan. SYNTHESIS OF GaN FILM BY NITRIDING PROCESSING OF Ga2O3[J]. Journal of Shaanxi University of Science & Technology(Natural Science Edition), 2006, 24(2): 50-53 |
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| Authors: | YIN Li-xiong WANG Fen YANG Mao-ju HUANG Yan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Ga2O3 |
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