|
|||||
|
|
| 不同Ⅴ/Ⅲ族元素比对m面GaN薄膜性能的影响? | |
| 引用本文： | 谭聪聪,彭冬生,陈志刚,刘毅,冯哲川.不同Ⅴ/Ⅲ族元素比对m面GaN薄膜性能的影响?[J].电子器件,2015(1). |
| 作者姓名： | 谭聪聪 彭冬生 陈志刚 刘毅 冯哲川 |
| 作者单位： | 1. 深圳大学光电子器件与系统 教育部、广东省 重点实验室,广东 深圳,518060 2. 深圳大学师范学院,广东 深圳,518060 3. 国立台湾大学光电所暨电机系，中国 台北10617 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金项目，深圳市科技计划项目，深圳大学应用技术开发项目，光电子器件与系统教育部重点实验室开放基金项目 |
| 摘 要： | 采用分子束外延( MBE)方法在蓝宝石衬底上外延生长m面GaN薄膜。利用原子力显微镜( AFM)、扫描电子显微镜( SEM)分析薄膜表面形貌,发现Ⅴ/Ⅲ族元素比从1∶80降低到1∶90时,外延膜表面均方根粗糙度从13.08 nm降低到9.07 nm。利用光谱型椭偏仪研究m面GaN薄膜,得到了m面GaN薄膜的厚度、折射率和消光系数。拟合结果显示,GaN样品厚度和理论值一致,且Ⅴ/Ⅲ族元素比为1∶90时,所得外延膜折射率较低,透射率大。两种测试方法表明,Ⅴ/Ⅲ族元素比较小的样品晶体质量高。 |
| 关 键 词： | m面GaN 光学性能 分子束外延 表面形貌 |
Effects of Different Ⅴ/Ⅲ Ratios on the Properties of m-Plane GaN Crystal |
|
| TAN Congcong,PENG Dongsheng,CHEN Zhigang,LIU Yi,FENG Zhechuan.Effects of Different Ⅴ/Ⅲ Ratios on the Properties of m-Plane GaN Crystal[J].Journal of Electron Devices,2015(1). | |
| Authors: | TAN Congcong PENG Dongsheng CHEN Zhigang LIU Yi FENG Zhechuan |
| Abstract: | |
| Keywords: | m-plane GaN optical properties MBE surface morphology |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |