| 一种高温度性能的带隙基准源 |
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| 引用本文： | 贺炜,冯全源.一种高温度性能的带隙基准源[J].电子器件,2015,38(1). |
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| 作者姓名： | 贺炜 冯全源 |
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| 作者单位： | 西南交通大学微电子研究所,成都,610031 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目，国家“863”计划项目 |
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| 摘 要： | 基于OKI 0.5μm BiCMOS工艺,设计了一种低温漂的带隙基准电压源。对传统基准源的电压模式输出级进行了改进,使之形成同时包含电压模式和电流模式的混合模式输出级,提高了温度补偿的灵活性。同时设计了一种基于分段线性补偿技术的高精度曲率校正电路,精确地对基准电压的高阶温度分量进行修调。 HSPICE仿真结果表明,在5 V的电源电压下,基准输出电压为1.2156 V,在-40℃~125℃温度范围内,基准电压的温度系数为0.43×10-6/℃,低频时电路电源抑制比低于-83 dB。电源电压在3.8 V~10 V范围内变化时,基准源的线性调整率为9.2μV/V。
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| 关 键 词： | 带隙基准 混合模式 曲率校正 低温漂 |
A Bandgap Reference with High Temperature Performance |
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| HE Wei,FENG Quanyuan?.A Bandgap Reference with High Temperature Performance[J].Journal of Electron Devices,2015,38(1). |
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| Authors: | HE Wei FENG Quanyuan? |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | bandgap reference mixed-mode curvature correction low temperature-drift |
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