|
|||||
|
|
| InGaN/GaN超晶格垒层用于InGaN发光二极管发光增强研究 | |
| 引用本文： | 杨国锋,朱华新,郭颖,李果华,高淑梅.InGaN/GaN超晶格垒层用于InGaN发光二极管发光增强研究[J].激光与光电子学进展,2014,51(3):32301-174. |
| 作者姓名： | 杨国锋 朱华新 郭颖 李果华 高淑梅 |
| 作者单位： | 杨国锋:江南大学理学院， 江苏 无锡 214122 朱华新:江南大学理学院， 江苏 无锡 214122 郭颖:江南大学理学院， 江苏 无锡 214122 李果华:江南大学理学院， 江苏 无锡 214122 高淑梅:江南大学理学院， 江苏 无锡 214122 |
| 基金项目： | 江苏省自然科学基金（11074280，BK2011436） |
| 摘 要： | 设计了InGaN/GaN超晶格垒层替代p-GaN和n-GaN附近传统GaN垒层的InGaN/GaN多量子阱(MQW)发光二极管(LEDs)结构。通过数值方法模拟出两种LED结构的光功率-电压(L-V)曲线、电致发光(EL)谱、能带图、电子浓度分布和辐射复合速率。结果表明InGaN/GaN超晶格替代n-GaN附近GaN垒层的LED结构比替代p-GaN附近GaN垒层的LED显示出更高的发光强度。这种发光增强的原因是InGaN/GaN超晶格替代n-GaN附近GaN垒层可以提高电子注入效率和辐射复合速率。 |
| 关 键 词： | InGaN/GaN 发光二极管 超晶格垒层 数值模拟 |
| 收稿时间： | 2013/10/22 |
Research on Efficiency Improvement of InGaN Light-Emitting Diodes with InGaN/GaN Superlattice Barrier |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | InGaN/GaN light-emitting diodes superlattice barrier numerical simulation |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |