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| TFT-LCD器件氧化铟锡层无退火工艺研究 | |
| 引用本文： | 张家祥,卢凯,郭建,姜晓辉,崔玉琳,王亮,阎长江,曲连杰,陈旭,闵泰烨,苏顺康.TFT-LCD器件氧化铟锡层无退火工艺研究[J].液晶与显示,2014,29(1):55-59. |
| 作者姓名： | 张家祥 卢凯 郭建 姜晓辉 崔玉琳 王亮 阎长江 曲连杰 陈旭 闵泰烨 苏顺康 |
| 作者单位： | 张家祥:北京京东方光电科技有限公司，北京 100176 卢凯:北京京东方光电科技有限公司，北京 100176 郭建:北京京东方光电科技有限公司，北京 100176 姜晓辉:北京京东方光电科技有限公司，北京 100176 崔玉琳:北京京东方光电科技有限公司，北京 100176 王亮:北京京东方光电科技有限公司，北京 100176 阎长江:北京京东方光电科技有限公司，北京 100176 曲连杰:北京京东方光电科技有限公司，北京 100176 陈旭:北京京东方光电科技有限公司，北京 100176 闵泰烨:北京京东方光电科技有限公司，北京 100176 苏顺康:北京京东方光电科技有限公司，北京 100176 |
| 摘 要： | 对TFT-LCD器件氧化铟锡(ITO)层无退火新工艺进行了深入研究,通过将氧化铟锡相变与聚酰亚胺(PI)膜固化过程同步进行,简化了工艺过程,节约了生产成本。采用无退火工艺氧化铟锡膜层的平均电阻值和膜层透过率与传统高温退火工艺下基本相同,可以实现低的电阻值和高的透过率。无退火工艺下PI膜表面平整均匀,氧化铟锡膜与PI膜界面结合良好,无鼓包、麻点等,也没有反应产物生成;经过TFT特性测试发现,无退火工艺比高温退火工艺条件下,无论暗态还是光照状态,开电流没有明显区别,漏电流可降低44%;通过无退火工艺和传统高温退火工艺制备的液晶显示屏的V-T特性相同。 |
| 关 键 词： | 无退火工艺 透过率 氧化铟锡层 TFT特性 |
| 收稿时间： | 2013/2/21 |
Anneal skip of ITO layer in TFT-LCD |
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| Abstract: | |
| Keywords: | anneal skip transmittance ITO layer TFT characteristic |
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