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| 单晶硅球表面氧化层测量进展和研究 | |
| 引用本文： | 刘文德,陈赤,罗志勇,樊其明,刘玉龙. 单晶硅球表面氧化层测量进展和研究[J]. 激光与光电子学进展, 2014, 51(3): 30007-58 |
| 作者姓名： | 刘文德 陈赤 罗志勇 樊其明 刘玉龙 |
| 作者单位： | 刘文德:中国计量科学研究院， 北京 100013 陈赤:中国计量科学研究院， 北京 100013 罗志勇:中国计量科学研究院， 北京 100013 樊其明:中国计量科学研究院， 北京 100013 刘玉龙:中国计量科学研究院， 北京 100013 |
| 基金项目： | 中国计量科学研究院基本业务费项目(AKY1213) |
| 摘 要： | 单晶硅球法是阿伏伽德罗常数量值精密测量以及质量重新定义的一种重要方案。单晶硅球表面的氧化层厚度关系到硅球质量和直径测量结果的修正,并在阿伏伽德罗常数的相对测量不确定度中占到很大比例。讨论了表面层测量中影响椭偏测量的几个基本问题,即单晶硅球不同晶向的光学常数以及表面曲率对椭偏光束的散射效应,评估了对氧化层厚度测量不确定度的影响;对于所采用的间接法的不确定度分量进行了分析。该研究为硅球表面层测量提供了实验和理论依据。 |
| 关 键 词： | 表面光学 硅球表面氧化层 光谱椭偏法 晶向 曲率 计量学 |
| 收稿时间： | 2013-10-02 |
Progress and Study of Measurement of Surface Oxide Layer on Single Crystal Silicon Sphere |
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| Abstract: | |
| Keywords: | optics at surfaces surface oxide layer on Si sphere spectroscopic ellipsometry crystal orientation curvature metrology |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |